CE4001S2T2B4工控模塊，KJ3203X1-BA1使用配置說(shuō)明
MCM 模塊能夠提供大電流，其可緊挨著處理器部署，可以在主板上，也可以在處理器基板上。這種近距離布置不僅可最大限度降低 PDN 損耗，而且還可減少電源所需的處理器基板 BGA 引腳。這種架構(gòu)及其性能都可通過(guò) PRM 及 VTM 中使用的專有拓?fù)湓鰪?qiáng)。PRM 使用零電壓開關(guān)拓?fù)?，?VTM 則使用專有諧振高頻率正弦振幅轉(zhuǎn)換器 (SAC) 拓?fù)?。轉(zhuǎn)換為 PoL 電壓，可使用零電壓和零電流開關(guān)。VTM 實(shí)際上是一款 DC-DC 變壓器，電壓以 1/K 的比率降低，電流則按 K 因數(shù)增加。VTM也叫電流倍增器，是一種高電流密度 PoL 轉(zhuǎn)換器。（新產(chǎn)品目前可達(dá)到 2A/mm2。）它可緊挨著處理器布置，因?yàn)樗捎脛?chuàng)新 ChiP 封裝技術(shù)并支持高密度集成磁組件。
CE4001S2T2B4工控模塊，KJ3203X1-BA1使用配置說(shuō)明這種水平的高電流密度可為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。工程師可根據(jù)處理器電流，在橫向供電或縱向供電（LPD 及 VPD）之間做出選擇。在 LPD 中，電流倍增器布置在 AI 處理器的幾毫米范圍內(nèi)，可在同一個(gè)基板上，也可以直接在主板上，從而可將 PDN 電阻降至大約 50μΩ?？v向供電 (VPD) 可進(jìn)一步消除配電損耗及 VR PCB 板面占用。VPD 與 Vicor LPD 解決方案類似，在電流倍增器或 GCM 模塊中增加了對(duì)旁路電容的集成。
為了進(jìn)一步提高性能，VPD 將電流倍增器移到了處理器的正下方，在那里其輸出功率引腳位圖與其上方的處理器電源引腳的間距和位置非常吻合。此外，電流倍增器封裝還集成高頻率大容量電容器，其一般位于主板或基板上的處理器的正下方。這種電流倍增器叫齒輪傳動(dòng)電流倍增器(GCM)。VPD 可將 PDN 電阻降至令人難以置信的5 至 7μΩ，從而可幫助 AI 處理器實(shí)現(xiàn)其真正的性能。
對(duì)于如此復(fù)雜的電源問(wèn)題，一個(gè)整體的設(shè)計(jì)方法才能確保獲得成功的高性能結(jié)果。需要對(duì)架構(gòu)、拓?fù)湟约胺庋b進(jìn)行創(chuàng)新，才能解決最艱巨的電源挑戰(zhàn)。提高 PDN 的電壓，可解決大量系統(tǒng)性能挑戰(zhàn)。降低 PDN 電阻是開啟新一代 HPC 電源大門、兌現(xiàn) AI 承諾的關(guān)鍵。PROeco電源
-91%的效率和極小的空載消耗確保了設(shè)備的低能耗和長(zhǎng)期可靠使用，為醫(yī)用設(shè)備的高效運(yùn)轉(zhuǎn)提供支持。
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